特許

J-GLOBAL ID：200903097000486492

ウェーハの枚葉式エッチング装置

発明者： 古屋田 栄 ,  橋井 友裕 ,  村山 克彦 ,  高石 和成 ,  加藤 健夫
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-021901
公開番号（公開出願番号）：特開2007-207811
出願日： 2006年01月31日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

【課題】ウェーハ下面へのエッチング液の回り込みを防止し、飛散したエッチング液のウェーハ上面への再付着を防止し、ウェーハのエッジ部の局所的な形状崩れを抑制する。【解決手段】ウェーハ11をチャック12に載せて保持した状態で回転させながら、ウェーハ上面にエッチング液14を供給してウェーハ上面をエッチングする。チャック上のウェーハのエッジ部11aを伝わって流下するエッチング液をガスの噴射によりウェーハの半径方向外側に吹飛ばすガス噴射機構17をチャックに設け、内周面18aが上方に向うに従ってチャックの半径方向外側に傾斜する傾斜面であるリング状のガイド片18をチャックの外周縁上部に突設する。ガイド片の傾斜面の傾斜角θ及び高さHを10〜90度及び0.1〜2mmの範囲に形成し、チャック上のウェーハの下面外周縁とエッジ部下縁の交線Pからガイド片の内周縁までの距離Tを0.05〜5mmの範囲に設定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶インゴットをスライスして得られた単一の薄円板状のシリコンウェーハ(11)をウェーハチャック(12)に載せて保持した状態で回転させながら、前記ウェーハ(11)の上面にエッチング液(14)を供給して前記ウェーハ(11)の上面をエッチングする枚葉式エッチング装置において、 前記チャック(12)に載せられた前記ウェーハ(11)のエッジ部(11a)を伝わって流下するエッチング液(14)をガスの噴射により前記ウェーハ(11)の半径方向外側に吹き飛ばすガス噴射機構(17)が前記チャック(12)に設けられ、 内周面(18a)が上方に向うに従って前記チャック(12)の半径方向外側に傾斜する傾斜面又は上方に向う垂直面であるリング状のガイド片(18)が前記チャック(12)の外周縁上部に突設され、 前記ガイド片(18)の内周面(18a)の水平面に対する傾斜角(θ)が10〜90度の範囲に形成され、 前記ガイド片(18)の高さ(H)が0.1〜2mmの範囲に形成され、 前記チャック(12)に載せられた前記ウェーハ(11)の下面外周縁とエッジ部(11a)下縁とのリング状の交線(P)から前記ガイド片(18)の内周縁までの距離(T)が0.05〜5mmの範囲に設定された ことを特徴とするウェーハの枚葉式エッチング装置。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/306 J

Fターム (4件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043EE08 ,  5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 枚葉処理機構
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-091416   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 半導体基板処理装置及び半導体基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-053556   出願人：株式会社高田工業所