半導体力学センサ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-273202
公開番号（公開出願番号）：特開平6-123628
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】梁励振タイプの容量検出方式によるヨーレイトセンサ及びそれを容易に製造することができることは勿論、2方向さらには3方向における可動状態を検出することができる半導体力学センサ及びその製造方法を提供する。【構成】単結晶シリコン基板101の主表面に凹部,トレンチを形成し、基板面方向にトレンチを挟んで一対の対向電極としてのn+ 拡散層117を形成するとともに、基板面方向に直交する方向にn+ 拡散層117を形成する。そして、凹部,トレンチをポリシリコン膜にて充填するとともにポリシリコン膜を挟んでn+ ポリシリコン膜を形成し、さらに、基板101の主表面を平滑化し、基板101の主表面とシリコン基板110とを接合する。さらに、基板101の裏面側を所定量研摩して基板101を薄膜化し、基板101の裏面側からポリシリコン膜をエッチング除去して錘139を有する片持ち梁を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を介して接合され、かつ薄膜化された単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板に形成され、錘を有する梁と、前記錘の一面および同錘面と対応する壁面に形成された第1の対向電極と、前記錘の前記対向電極に対して直交する軸方向において前記錘の一面および同錘面と対向する壁面に形成された第2の対向電極とを備えたことを特徴とする半導体力学センサ。

IPC (4件)：

G01C 19/56 , G01P 9/04 , H01L 21/308 , H01L 29/84

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開昭60-073414
特開昭63-154915
特開昭62-093668

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