特許

J-GLOBAL ID：200903097001791418

薄膜成長装置

発明者： 本間 忠明 ,  荒井 剛
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120604
公開番号（公開出願番号）：特開2000-026192
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：

【要約】【課題】 シリコン単結晶薄膜の気相成長装置におけるサセプタ温度の面内均一性を改善し、シリコン単結晶薄膜の膜厚を均一化する。【解決手段】 サセプタ5の座繰り部5aに埋設されているリフトピン8の基材を、サセプタ5の基材よりも熱伝導率の低い基材に変更することにより、リフトピン近傍のサセプタ温度の局所的な低下を防止する。かかる基材としては、SiC、所望のグレードの炭素材、石英が好適である。

請求項（抜粋）：

反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。

IPC (3件)：

C30B 25/12 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 25/12 ,  C30B 29/06 504 D ,  H01L 21/205