特許

J-GLOBAL ID：200903097005077124

石英系ガラス導波路及びその製造方法

発明者： 堀 彰弘
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-357912
公開番号（公開出願番号）：特開2000-180642
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 低損失化、小形化、低コスト化を実現する高比屈折率差を有した石英系ガラス導波路及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板12上にコア14の周囲がクラッド13,15で覆われ導波路部が形成されてなる石英系ガラス導波路及びその製造方法において、SiO2あるいはSi基板12表面の上に、SiO2 にフッ素を添加した低屈折率のクラッド13を形成し、そのクラッド13上に、高屈折率を有したTiO2 やGeO2 等の屈折率向上成分が添加されたSiO2 系ガラスやSiOxNyHz系ガラスのコア14を形成し、そのコア14の周囲を、SiO2 にフッ素を添加した低屈折率のクラッド15で覆い、その後800°C〜1200°Cの温度で熱処理を行うことによりクラッド13,15の表面のフッ素を拡散させてSiO2 保護層16を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にコアの周囲がクラッドで覆われ導波路部が形成されてなる石英系ガラス導波路において、SiO2 あるいはSi基板表面の上に、SiO2 にフッ素を添加した低屈折率のクラッドを形成し、そのクラッド上に、高屈折率を有したTiO2 やGeO2 等の屈折率向上成分が添加されたSiO2 系ガラスやSiOxNyHz系ガラスのコアを形成し、そのコアの周囲を、SiO2 にフッ素を添加した低屈折率のクラッドで覆い、その後800°C〜1200°Cの温度で熱処理を行うことによりクラッドの表面のフッ素を拡散させてSiO2保護層を形成することを特徴とする石英系ガラス導波路。

IPC (2件)：

G02B 6/12 ,  G02B 6/13

FI (2件)：

G02B 6/12 N ,  G02B 6/12 M

Fターム (8件)：

2H047KA04 ,  2H047PA05 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA04 ,  2H047TA00 ,  2H047TA01 ,  2H047TA36