特許

J-GLOBAL ID：200903097007729480

ホトマスク及びレジストパタン形成方法

発明者： 早野 勝也 ,  長谷川 昇雄 ,  ▲高▼木 宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-043525
公開番号（公開出願番号）：特開平7-253656
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】解像限界を越えた微細な、所望パタンのみを選択的に、簡単な処理により精度よく縮小形成する。【構成】縮小したいパタンに対応するパタン転写用ホトマスクの透明パタン周辺に半透明膜を配置し、露光,現像してパタンを形成した後、レジストの軟化流動によってパタンを縮小させる熱処理を施すことにより、所望の縮小化したいパタンの周辺部のみを選択的にレジストを流動させ、微細パタンを形成する。

請求項（抜粋）：

レジストパタンを形成した後、レジストの軟化流動によるパタンの縮小を目的とする熱処理を施して微細パタンを形成する方法で用いるパタン転写用ホトマスクが、遮光部と半透明部と透明部で構成され、縮小したいパタンに対応する透明パタンの周辺を前記半透明膜としたことを特徴とするホトマスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 576 ,  H01L 21/302 H