特許

J-GLOBAL ID：200903097009662250

導電性層を電解研磨するための電解研磨アセンブリ及び電解研磨方法

発明者： ワン,フイ ,  イー,ペイハウア ,  アフナン,ムハメド ,  ナッチ,ボハ ,  ガットマン,フェリックス
出願人/特許権者： エーシーエム リサーチ,インコーポレイティド
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  島田 哲郎 ,  篠崎 正海 ,  西山 雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-544243
公開番号（公開出願番号）：特表2005-509746
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

本発明の1観点において、ウェハー(1004)上の導電性膜を電解研磨する装置及び方法の1実施態様が提供される。装置は、ウェハーを保持するためのウェハー・チャック(1002)、ウェハー・チャックを回転させるためのアクチュエータ(1000)、及び、ウェハーを電解研磨するように構成されたノズル(1010)を含む。この装置はさらに、導電性リング又はシュラウド(1006)を含んでいてよい。ウェハー上の導電性膜の電解研磨方法は、ウェハー上に入射した電解質流体がウェハー表面上をウェハー縁部に向かって流れるのに十分な速度で、ウェハー・チャックを回転させることを含む。

請求項（抜粋）：

ウェハーを電解研磨する装置において: 該ウェハーを保持するためのウェハー・チャックと; 該ウェハー・チャックを回転させるためのアクチュエータと; 該ウェハーを電解研磨するように構成されたノズルと; 該ウェハーの縁部の周りに位置決めされたシュラウドと; を具備する、ウェハーを電解研磨する装置。

IPC (3件)：

C25F7/00 ,  C25F3/30 ,  H01L21/3205

FI (3件)：

C25F7/00 M ,  C25F3/30 ,  H01L21/88 K

Fターム (4件)：

5F033HH11 ,  5F033QQ46 ,  5F033WW01 ,  5F033XX01