特許
J-GLOBAL ID：200903097013307929
半導体デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-072865
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302578
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハーからホトレジストストリッパーをリンスする方法を提供する。この方法によればウエハーのアルミニウム導体上の腐蝕ピットを大きく減少、あるいは腐蝕ピットの発生そのものを回避することができる。【構成】 ホトレジストストリッパーを半導体ウエハーの表面から除去しなければならないウエハー製造プロセスにおいて、前記ウエハーを水で満たした容器(図3の23)内に挿入し、ニ酸化炭素と水を同時に容器内にポンプで送り込み、容器から水をあふれさせることによって、前記ホトレジストストリッパーを除去する。前記の容器内にウエハーをリンスステップ中、少なくとも5分間保持し、容器を完全に水で満たし、毎分容器の堆積の少なくとも50%の量の流量で水を溢れさせることが好ましい。
請求項（抜粋）：
アルミニウム導体(12)を一つの表面上に持つ半導体ウエハー(11、22)から半導体デバイスを製造する方法であり、前記のウエハーをホトレジスト層(15)で被覆するステップと、前記のホトレジストを化学線に選択的に露出するステップと、前記のホトレジストを現像するステップと、前記ウエハーを選択的に処理するために、前記の現像したホトレジストをマスクとして使用するステップと、前記のウエハーをホトレジストストリッパーに露出することによって、前記のホトレジストマスクを除去するステップと、前記のウエハーを水(24)で満たした容器(23)に挿入するステップからなる、前記のホトレジストストリッパーを前記の半導体ウエハーからリンスするステップと、からなる方法において、ニ酸化炭素(27)と水(26)を同時に前記の容器へポンプによって導入して水を容器からあふれさせることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/027
