特許

J-GLOBAL ID：200903097018110236

温度検知回路およびダイナミック・ランダムアクセス・メモリ装置

発明者： 平野 博茂
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-338410
公開番号（公開出願番号）：特開平5-266658
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、製造上のばらつきの少ない温度検知回路を得ることができる温度検知回路で、この回路を利用することで低温時のセルフリフレッシュ機能時のリフレッシュ周期をある基準リフレッシュ周期の整数倍と長くでき、広い温度範囲で最適なリフレッシュ周期のセルフリフレッシュ機能を果たし、低温時の消費電力が少ないDRAMを提供する。【構成】 図1の遅延回路11は8段の否定回路で構成されたものである。2段目の否定回路のPチャネル型MOSトランジスタQp12およびNチャネル型MOSトランジスタQn12のそれぞれのソースにポリシリコン抵抗RPS11およびRPS12が接続されている。これらのポリシリコン抵抗は図2の破線で示すように抵抗値の温度依存性が小さい。このため8段の否定回路全体としての遅延時間の温度依存性が小さい。これに対して図1の遅延回路12は3段の否定回路とそれにつづく3段または1段の否定回路で構成されている。

請求項（抜粋）：

複数個の否定回路で構成され、前記否定回路が遅延時間の温度依存性が大きい第1の遅延回路と、前記第1の遅延回路から出力される第1の出力信号と、前記否定回路が遅延時間の温度依存性が小さい第2の遅延回路と、前記第2の遅延回路から出力される第2の出力信号とを備え、前記第1,2の出力信号が出力される順番を温度検知信号として検知することを特徴とする温度検知回路。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-223097
  
• 特開平2-146178
  
• 特開平2-123592