特許
J-GLOBAL ID:200903097018287705

レジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前島 肇
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-157658
公開番号(公開出願番号):特開平5-119483
出願日: 1991年05月31日
公開日(公表日): 1993年05月18日
要約:
【要約】【目的】 特定の電着フォトレジストを用い、適正な現像時間により、低露光量で微細なレジストパターンを形成する方法を提供する。【構成】 酸価が 80〜400mg-KOH/g の範囲にある水溶性または水分散性の特定樹脂を主成分とするアニオン型光硬化性電着塗料を用いて、写真法によりレジストパターンを形成するに際し、 濃度0.5〜5%の重炭酸ソーダ水溶液で現像し、次いで全硬度が15ppm 以下の脱イオン水で洗浄する。
請求項(抜粋):
酸価が80〜400mg-KOH/gの範囲にある水溶性または水分散性樹脂を主成分とするアニオン型光硬化性電着塗料を用いて、写真法によりレジストパターンを形成するに際し、 濃度0.5〜5%の重炭酸ソーダ水溶液で現像し、 次いで全硬度(JIS K0101による)が15ppm 以下の脱イオン水で洗浄することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件):
G03F 7/32 ,  G03F 7/32 501

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