特許
J-GLOBAL ID:200903097018928913

インバータ回路及び増幅器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梅田 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-062536
公開番号(公開出願番号):特開平9-260962
出願日: 1996年03月19日
公開日(公表日): 1997年10月03日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 周波数特性を改善用抵抗は、製造ばらつきが発生し、周波数特性が悪くなり、また、消費電力が増大するという問題を解決する。【解決手段】 増幅器として用いるインバータ部分In1と、直列接続される、ゲイン制御のためのインバータ部分In2とからなる。インバータ部分In2は、インバータ部分In1と相似、すなわち例えば、P型MOS電界効果型トランジスタMOSP1とサイズ比(チャネル幅/チャネル長)が1/AのP型MOS電界効果型トランジスタMOSP2と、N型MOS電界効果型トランジスタMOSN1とサイズ比(チャネル幅/チャネル長)が1/AのN型MOS電界効果型トランジスタMOSN2からなり、入出力端を短絡している。ここで正定数Aを通常のインバータのDCゲインに比べ小さく設定すれば、上記構成のインバータのDCゲインは製造プロセスのばらつきの影響を受けずにほぼAとすることができる。
請求項(抜粋):
増幅器として用いるインバータ部分と、該インバータ部分に直列接続され、前記インバータ部分のCMOS電界効果型トランジスタと相似なサイズのCMOS電界効果型トランジスタからなり、入出力端を短絡した、前記インバータ部分のゲイン制御のためのインバータ部分と、を有してなることを特徴とするインバータ回路。
IPC (4件):
H03F 3/18 ,  H03F 3/16 ,  H03K 19/0948 ,  H03K 19/20
FI (4件):
H03F 3/18 ,  H03F 3/16 B ,  H03K 19/20 ,  H03K 19/094 B

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