特許

J-GLOBAL ID：200903097023325364

太陽電池の製造方法

発明者： 中川 伸一
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179328
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012883
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 基板とMo層間の剥離、Mo層とCIS系半導体薄膜層間の密着の低下及びMo層とCIS系半導体薄膜層との界面の接触抵抗の増大を防止し、光電変換特性を向上させた太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板上1に応力を0〜0.4GPaの圧縮応力としたモリブデン層2を有し、このモリブデン層2上にCIS系半導体薄膜層5を有する、太陽電池の製造において、ガラス基板1を真空に保持したセレン蒸気雰囲気又は硫黄蒸気雰囲気の中で加熱処理しガラス基板1は、例えば、ソーダライムガラスでセレン蒸気雰囲気及び硫黄蒸気雰囲気は、例えば、セレンフラックス及び硫黄フラックスの照射によりつくることができる。ガラス基板1は、例えば、その基板温度が室温〜200°Cとなるように加熱処理する。CIS系半導体薄膜層は、例えば、CuInSe2、CuInS2等から選ばれる少なくとも1種の化合物で構成する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に応力を0〜0.4GPaの圧縮応力としたモリブデン層を有し、そして、このモリブデン層上にCIS系半導体薄膜層を有する、太陽電池の製造において、ガラス基板を真空に保持したセレン蒸気雰囲気又は硫黄蒸気雰囲気の中で加熱処理することを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C03C 17/40 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363

FI (4件)：

H01L 31/04 E ,  C03C 17/40 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/363

Fターム (24件)：

4G059AA01 ,  4G059AB01 ,  4G059AC12 ,  4G059AC30 ,  4G059DA09 ,  4G059GA01 ,  4G059GA02 ,  4G059GA04 ,  4G059GA14 ,  5F051AA10 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5F051GA20 ,  5F103AA01 ,  5F103AA05 ,  5F103AA08 ,  5F103DD28 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103PP03 ,  5F103PP20 ,  5F103RR05