特許

J-GLOBAL ID：200903097024135801

サファイア単結晶基板およびIII族窒化物系化合物半導体

発明者： 大山 公士 ,  飯野 貴幸
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-282841
公開番号（公開出願番号）：特開2008-100861
出願日： 2006年10月17日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】その面上に積層させて得られるIII族窒化物系化合物半導体の結晶性が向上するサファイア単結晶基板と、この基板を用いて得られるIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。【解決手段】上記サファイア単結晶基板はサファイア結晶の同一面内における格子定数のバラツキの分布が0.002Å以内であることを特徴とする。また、AlN、GaN等一般式AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1)で表されかつLEDの発光素子等として用いられるIII族窒化物系化合物半導体は、サファイア結晶の同一面内における格子定数のバラツキの分布が0.002Å以内であるサファイア単結晶基板上に積層させて得られることを特徴とする。得られたIII族窒化物系化合物半導体は面内における格子定数が均一となってその結晶性に優れている。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

その面上にIII族窒化物系化合物半導体が積層されるサファイア単結晶基板において、 サファイア結晶の同一面内における格子定数のバラツキの分布が0.002Å以内であることを特徴とするサファイア単結晶基板。

IPC (4件)：

C30B 29/20 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

C30B29/20 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L33/00 C

Fターム (11件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公平8-5756号公報