特許

J-GLOBAL ID：200903097024862797

不揮発性半導体記憶装置とその製造方法

発明者： 大谷 幸弘
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187629
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032270
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置とその製造方法において、書込、消去サイクルの制限を延長する。【解決手段】 半導体基板1上に形成されたフローティングゲート3の上部及び側部を被覆するトンネル酸化膜7と、前記ドレイン領域11と前記ソース領域6との間の基板上方に形成され、少なくとも一部がフローティングゲート3の上方に配置されたコントロールゲート8と、該コントロールゲート8の上部及び側部を被覆する絶縁膜9と、前記ソース領域6に沿って該ソース領域6の上方に形成され、且つ前記トンネル酸化膜7及び絶縁膜9上の少なくとも一部を覆う消去ゲート17とを有するものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板表層に相互に離隔して形成された第1及び第2の不純物拡散領域と、前記第1及び第2の不純物拡散領域の間の前記半導体基板の上方に形成されたフローティングゲートと、前記フローティングゲートの上部及び側部を被覆する第1の絶縁膜と、前記第1及び第2の不純物拡散領域の間の上方に形成されていて少なくとも一部が前記フローティングゲートの上方に配置されたコントロールゲートと、前記コントロールゲートの上部及び側部を被覆する第2の絶縁膜と、前記第1の不純物拡散領域上から前記第1及び第2の絶縁膜の少なくとも一方の上までの間の領域に形成された消去専用の消去ゲートと、前記フローティングゲート、前記コントロールゲート及び前記消去ゲート上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に開孔したコンタクト孔を介して前記第2の不純物拡散領域上に電気的に接続した金属配線とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434