特許

J-GLOBAL ID：200903097030978640

半導体装置

発明者： 渡辺 邦雄
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-323378
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177259
出願日： 1992年12月02日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】半導体基板上に少なくとも二層以上の配線層を有し、前記配線層及び半導体基板上に同時にコンタクトホールを設けた半導体装置において、コンタクトホールの深さが浅くなる配線層と上層の配線層との接続を確実なものとする半導体装置を提供する。【構成】コンタクトホールの深さが深くなる配線層5よりコンタクトホールの深さが浅くなる配線層7を厚くする。また、コンタクトホールの深さが浅くなる配線層を、コンタクトホールの深さが深くなる配線層と異なる導電性材料で形成する。また、コンタクトホールの深さが浅くなる配線層上に前記配線層と同一のパターンで絶縁膜を形成する。【効果】深さの異なるコンタクトホールを同時に設けたとしても、コンタクトホールの深さが浅くなる配線層と上層の配線層との接続を確実なものとできる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも二層以上の配線層を有し、前記配線層及び半導体基板上に同時にコンタクトホールを設けた半導体装置において、前記コンタクトホールの深さが浅くなる配線層の膜厚が、コンタクトホールの深さが深くなる配線層の膜厚より厚いことを特徴とする半導体装置。