特許
J-GLOBAL ID：200903097037503770
コイル構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148581
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335441
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、コイル下方の半導体基体内に渦電流の発生を無くして、コイルのQの向上を図り、このコイルを用いて形成される集積回路の性能の向上を図る。【構成】 第1導電型基体11上には第2導電型層12と絶縁層13とが積層され、絶縁層13上にはコイル21が設けられていて、その下方の第2導電型層12にはコイル21の下方を横断する状態にかつ第2導電型層12の表面からその深さ方向に向かって第1導電型拡散層31が形成されているものである。または、図示はしないが、第1導電型基体上に形成した絶縁層上にはコイルが設けられていて、その下方を横断する状態にかつ第1導電型基体の表面からその深さ方向に向かって第2導電型拡散層が形成されているものである。
請求項（抜粋）：
第1導電型基体と、前記第1導電型基体上に形成した第2導電型層と、前記第2導電型層上に形成した絶縁層と、前記絶縁層上に形成したコイルと、前記第2導電型層の表面から深さ方向に形成したものであって前記コイル下方を横断する状態に形成した第1導電型拡散層とからなることを特徴とするコイル構造。
IPC (4件)：
H01F 17/00
, H01F 5/00
, H01L 27/04
, H01L 21/822
