特許
J-GLOBAL ID：200903097040305792
ケイ素膜の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-183860
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026792
出願日： 1997年07月09日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 単純なプロセスで効率よくシリケートガラス表面にケイ素膜を製造する方法を提供すること。【解決手段】 上記課題を解決するための好適な本発明のケイ素膜製造方法は、シリケートガラス基板21を密閉可能な反応容器1内に配置すること、および、当該反応容器1内を還元性雰囲気とした後、真空紫外光源2から放射された波長130nm以下の真空紫外線の少なくとも一部を集光しつつ当該集光された真空紫外線を当該容器1内のシリケートガラス基板21に照射することを包含し、当該シリケートガラス基板21の表面にケイ素膜を生成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ケイ素膜を製造する方法であって、シリケートガラスまたはシリケートガラスを有する被処理物を容器内に収容する工程;該容器内を還元性雰囲気にする工程;および真空紫外光源から放射された波長130nm以下の真空紫外光を該容器内のシリケートガラスに照射する工程;を包含し、該シリケートガラスの表面にケイ素膜を生成することを特徴とするケイ素膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 F
, H01L 21/20
