特許
J-GLOBAL ID：200903097043684212
半導体基板の洗浄方法および洗浄装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007893
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209106
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】シリコン基板内の金属不純物を十分に除去すること。【解決手段】ビーカ3内のシリコン基板2および薬液としての硫酸液をヒータ5により加熱することにより、シリコン基板2内の金属不純物を除去する。このとき、シリコン基板2の表面と硫酸液との接触領域の温度が、硫酸の沸点未満においてなるべく高くなるように、ヒータ5により温度調整する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面と洗浄用の薬品との接触領域の温度を、前記薬品の沸点未満の高温に保持して、前記半導体基板を前記薬品により洗浄することを特徴とする半導体装置の洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
H01L 21/304 341 T
, H01L 21/304 341 L
