特許
J-GLOBAL ID：200903097049952391
フォトレジストアッシング残さ洗浄剤
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-353360
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168015
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】フォトレジストアッシング残さの洗浄性が高く、また、絶縁膜、低誘電膜、配線等ぼ下地の防食効果も高い上、水リンス時の腐食も起こさないフォトレジストアッシング残さ洗浄剤を開発すること。【解決手段】超純水およびアミン等の洗浄成分からなる半導体用フォトレジストアッシング残さ洗浄剤であって、超純水を99%以上含有するフォトレジストアッシング残さ洗浄剤。
請求項（抜粋）：
超純水および洗浄成分からなるフォトレジストアッシング残さ洗浄剤であって、超純水を99重量%以上含有することを特徴とするフォトレジストアッシング残さ洗浄剤。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 7/42
, H01L 21/30 572 B
