特許

J-GLOBAL ID：200903097054008677

記憶装置

発明者： 沖田 彰
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025392
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222648
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 大容量、低コスト、書き込み可能、書き込み,読出しスピードが早く、高信頼性、低消費電力が実現できる記憶装置を得る。【構成】 基板1007上に、一導電型の第1の半導体領域1003と、第1の半導体領域と接する一導電型とは反対導電型の第2及び第3の半導体領域と、第2の半導体領域と第3の半導体領域とを隔てる領域上に絶縁層を介して設けられた第1の電極1002と、第1の電極1002上に絶縁層1004を介して設けられた第2の電極1001を有する記憶装置において、第1の電極1002と第2の電極1001との間の抵抗値は高抵抗状態から低抵抗状態に変化させることができ、且つ第1の電極1002と第2の電極1001との間で形成される主な容量値は第1の電極1002の厚さに依存する。第1の電極1002上に設けられた絶縁層1004は第1の電極の側面上に設けられている。

請求項（抜粋）：

基板上に、一導電型の第1の半導体領域と、該第1の半導体領域と接する該一導電型とは反対導電型の第2及び第3の半導体領域と、該第2の半導体領域と該第3の半導体領域とを隔てる領域上に絶縁層を介して設けられた第1の電極と、該第1の電極上に絶縁層を介して設けられた第2の電極を有する記憶装置において、前記第1の電極と前記第2の電極との間の抵抗値は高抵抗状態から低抵抗状態に変化させることができ、且つ前記第1の電極と前記第2の電極との間で形成される主な容量値は第1の電極の厚さに依存することを特徴とする記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434