特許
J-GLOBAL ID：200903097059463895
炭化ケイ素の結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-050721
公開番号（公開出願番号）：特開平8-245299
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月24日
要約：
【要約】【目的】 貫通欠陥が低減された炭化ケイ素単結晶の成長方法を提供することである。【構成】 るつぼ22内の上面または底面の中心から一方向に偏った位置に保持台23を配置することにより、保持台23の一方の縁部Xの温度を対向する縁部Yに比べて相対的に低く設定する。それにより、保持台23上に設置される種結晶基板20の一方の縁部xから対向する縁部yに渡って単調増加する温度勾配を設け、ステップ成長を主体とする成長機構により種結晶基板20上にSiC単結晶を成長させる。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素原材料を昇華させて種結晶基板上に炭化ケイ素単結晶を成長させる方法において、前記種結晶基板上にステップ成長を主体とする成長機構を用いて炭化ケイ素単結晶を成長させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, C30B 23/00
