特許
J-GLOBAL ID：200903097059528857
不揮発性記憶素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085411
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291584
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】不揮発性記憶素子の高集積化を図る。【構成】シリコン基板30に、ソース領域32およびドレイン領域33がチャネル領域34を挟んで形成され、チャネル領域34上に、電荷を蓄積するゲート絶縁膜35が形成され、ゲート絶縁膜35上に、複数の記憶ゲートMG1〜MG8が配列され、記憶ゲート列MG1〜MG8の両端でかつソース領域32およびドレイン領域33上に、一対の選択ゲートSG1,SG2が設けられている。【効果】16ビットにつき1つのコンタクトで済み、また1セル当たりの拡散層領域も小さくできる。
請求項（抜粋）：
電荷を蓄積することにより情報を記憶する不揮発性記憶素子において、半導体基板に、ソース領域およびドレイン領域がチャネル領域を挟んで形成され、上記チャネル領域上に、電荷を蓄積するゲート絶縁膜が形成され、上記ゲート絶縁膜上に、複数の記憶ゲートが配列され、上記記憶ゲート列の両端でかつソース領域およびドレイン領域上を挟んで、一対の選択ゲートが設けられていることを特徴とする不揮発性記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/02
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 307 E
, H01L 27/10 434
