特許

J-GLOBAL ID：200903097059841229

半導体メモリ装置

発明者： 金 文坤 ,  尹 世昇
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-314456
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217368
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】リフレッシュ期間中のバックバイアス発生手段に供給される信号の周期を簡単に選択できるようにして最適の周期での動作を容易に可能とし、リフレッシュ期間中の電力消費をより低く抑えられるような半導体メモリ装置の提供。【構成】リフレッシュ期間中に、バックバイアス発生手段300がバックバイアス制御クロック発生手段400から出力されるバックバイアス制御クロックCLKBBに従って動作するようになっており、このクロックCLKBBは、バックバイアス制御クロック発生手段400に入力されるパルス信号Q0〜Q3のうちのいずれか一つと選択的に同じ周期をもつようにされている。この選択は、バックバイアス制御クロック発生手段400に設けられたヒューズを切断するだけで行えるようにされている。したがって、ヒューズの切断という極めて簡単な方法でバックバイアス発生手段に供給される信号の周期を簡単に選択でき、最適の周期で動作させることが容易に可能となる。

請求項（抜粋）：

リフレッシュを実行するようになった半導体メモリ装置において、リフレッシュ手段と、バックバイアス制御クロック発生手段と、バックバイアス発生手段とを備えており、リフレッシュ手段は、リフレッシュクロックを発生するリフレッシュタイマと、リフレッシュクロックを受けて互いに異なる周期をもつ複数のパルス信号を出力するカウンタ回路と、該パルス信号のいずれかに応答してリフレッシュエネーブル信号を出力するリフレッシュエネーブル回路とを有してなり、バックバイアス制御クロック発生手段は、一つ以上の選択制御回路と、前記複数のパルス信号が供給されるパルス信号選択回路とを有し、選択制御回路の各出力信号に従って、前記複数のパルス信号のうちのいずれか一つがパルス信号選択回路に入力され、該入力されたパルス信号に応じて周期が設定されるバックバイアス制御クロックを出力するようになっており、バックバイアス発生手段は、バックバイアスを検知するバックバイアス検知回路と、バックバイアス検知回路の出力信号を入力とし、前記リフレッシュエネーブル信号により出力が制御される選択回路と、選択回路の出力信号に応じて動作する発振器と、発振器が発振しないときに前記バックバイアス制御クロックに従って信号を出力するドライバ制御回路と、ドライバ制御回路の出力信号を入力とするドライバとを有してなることを特徴とする半導体メモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-047295
  
• 特開昭63-289854
  
• 特開平1-149295
  
• 特開昭59-117794