特許

J-GLOBAL ID：200903097061775489

炭素クラスター化合物の製造方法

発明者： 奥田 伸之 ,  上羽 良信 ,  大倉 健吾 ,  久貝 裕一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀井 弘勝 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018917
公開番号（公開出願番号）：特開平5-213610
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：

【要約】【目的】 分子内に不純物が内包された、空気中で安定な炭素クラスター化合物を、従来法より確実かつ多量に製造できる製造方法を提供する。【構成】 炭素クラスター分子の原料であるカーボンまたはグラファイトを、内包させる不純物を含む雰囲気中で加熱蒸発させる。

請求項（抜粋）：

π電子共役系を有する炭素クラスター分子内に不純物が内包された炭素クラスター化合物を製造する方法であって、炭素クラスター分子の原料であるカーボンまたはグラファイトを、内包させる不純物を含む雰囲気中で加熱蒸発させることで、炭素クラスター分子の合成とともに、その内部に不純物を内包させることを特徴とする炭素クラスター化合物の製造方法。

IPC (4件)：

C01B 31/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/12 ZAA ,  H01B 1/04