特許

J-GLOBAL ID：200903097064614060

短波長発光素子

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208486
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056202
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 作製が容易で、発光特性の均一性に優れる短波長発光素子を得る。【解決手段】 発光層を成膜が容易な低インジウム組成比の III族窒化物化合物半導体の微小結晶体を含む III族窒化物化合物半導体からなる母相から形成する。母層は発光層の上・下に設けるいずれかの層の構成材料を主体に構成する。

請求項（抜粋）：

発光層を上下のクラッド層で挟んだAlx Ga1-x N系ダブルヘテロ構造のLEDであって、該発光層がAlx Ga1-x Nからなる母相中にAlx Gay In1-x-y Nからなる微小結晶体を混在したものであることを特徴とする短波長発光素子。