特許

J-GLOBAL ID：200903097067307029

光変調器

発明者： 藤田 研 ,  岡山 秀彰
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127893
公開番号（公開出願番号）：特開2000-321543
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 新規かつ有用な光変調器を提供することを目的とする。【解決手段】 光導波路14が規定された強誘電体からなる基板11に、光導波路14に案内される偏光に相互作用して該偏光のモードを変えるべく光導波路14を進行する前記偏光の進行方向に沿って弾性表面波を発する超音波発生器12を設ける。光導波路14に前記偏光のモードに応じて選択的に前記偏光の通過を許すフィルタ16を設ける。さらに、超音波発生器12から光導波路14への弾性表面波の進行経路に、弾性表面波を吸収するための2次元電子ガスを起生する半導体構造13を設け、該半導体構造に弾性表面波の吸収量を増減すべく該半導体構造の前記2次元電子ガスを増減するための変調手段23を設ける。

請求項（抜粋）：

光導波路が規定された強誘電体からなる基板と、該基板に組み込まれ、前記光導波路に案内される偏光に相互作用して該偏光のモードを変えるべく前記光導波路を進行する前記偏光の進行方向に沿って弾性表面波を発する超音波発生器と、前記光導波路に設けられ、前記偏光のモードに応じて選択的に前記偏光の通過を許すフィルタと、前記超音波発生器から前記光導波路への前記基板上の前記弾性表面波の進行経路に設けられ、前記弾性表面波を吸収するための2次元電子ガスを起生する半導体構造と、該半導体構造に関連して設けられ、該半導体構造による前記弾性表面波の吸収量を増減すべく該半導体構造の前記2次元電子ガスを増減するための変調手段とを含む光変調器。

IPC (3件)：

G02F 1/125 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/015 601

FI (3件)：

G02F 1/125 ,  G02F 1/015 601 F ,  G02B 6/12 H

Fターム (20件)：

2H047KA03 ,  2H047KA12 ,  2H047NA07 ,  2H047PA12 ,  2H047QA02 ,  2H047QA03 ,  2H047RA08 ,  2H079AA04 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079BA02 ,  2H079CA05 ,  2H079DA03 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079EA03 ,  2H079EB23 ,  2H079HA08 ,  2H079KA05 ,  2H079KA20