特許

J-GLOBAL ID：200903097067676431

不揮発性半導体メモリ

発明者： 小澤 孝典
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286087
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299000
出願日： 1999年10月06日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 電源電圧とは別に電源電圧を低くした電圧をメモリセルに印加し得るようにし、強誘電体メモリを有する場合でも、長時間のスクリーニング検査を行って製品にダメージを与えなることなく充分な検査を行い、データ保持に関して高い信頼性(少ない不良率)を有する不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】 電源端子6と、メモリブロック5と、電源端子6に印加される電圧の低下を監視し、所定電圧以下のときメモリブロック5への電圧の供給を停止させる命令を有する低電圧監視ブロック8と、電源電圧Vccを降圧させる降圧部1を有し、制御入力によりメモリブロック5に電源電圧Vccまたは降圧した電圧を切り替えて供給する変圧部7とを有している。

請求項（抜粋）：

電源端子と、メモリブロックと、前記電源端子に印加される電圧の低下を監視し、所定電圧以下のとき前記メモリブロックへの電圧の供給を停止させる低電圧監視ブロックと、電源電圧を降圧させる降圧部を有し、制御入力により前記メモリブロックに前記電源電圧または降圧した電圧を切り替えて供給する変圧部とを有する不揮発性半導体メモリ。

IPC (5件)：

G11C 29/00 671 ,  G01R 31/28 ,  G11C 11/22 ,  G11C 14/00 ,  G11C 11/401

FI (5件)：

G11C 29/00 671 F ,  G11C 11/22 ,  G01R 31/28 B ,  G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/34 371 A

Fターム (13件)：

2G032AA07 ,  2G032AA08 ,  2G032AB02 ,  2G032AD01 ,  2G032AK11 ,  5B024AA15 ,  5B024BA02 ,  5B024BA29 ,  5B024CA07 ,  5B024EA02 ,  5L106AA01 ,  5L106DD36 ,  5L106EE02