特許

J-GLOBAL ID：200903097068504197

半導体装置およびその製造方法

発明者： 有馬 英一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-214265
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061443
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 安定な動作を維持したまま高集積化を図ることが可能な所定のキャパシタ容量を備えたキャパシタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 下部電極1は、第1の部分2と第2の部分3から構成されている。第1の部分2は、窒化膜14の表面上に沿って形成されている。第2の部分3は、第1の部分2に接し、かつ第1の部分2の上面より上方へ延びる部分と窒化膜の表面に沿って延びる部分とを有している。下部電極1の表面全面を覆うように誘電体層5が形成されている。この誘電体層5の表面全面を覆うように上部電極4が形成されている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板に設けられたソース・ドレイン領域およびゲート電極と、前記基板の上部にあって、所定の平面上に沿って延びる部分を含む第1の電極層と、前記第1の電極層に接し、かつ前記第1の電極層の上面より上方へ延びる部分と前記所定の平面に沿って延びる部分とを含む第2の電極層と、前記第1と第2の電極層の表面上を覆う誘電体層と、前記誘電体層の表面上を覆う第3の電極層とを備えた、半導体装置。