特許

J-GLOBAL ID：200903097069326500

半導体装置の製造方法

発明者： 綿谷 公秀
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-163726
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017729
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 半導体薄膜と第2の絶縁膜との界面準位密度を小さくすることができると共に、高電界効果移動度を有するTFT等の半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 絶縁性基板1の一方の主面1aに、第1の絶縁膜2、非晶質半導体薄膜3a及び第2の絶縁膜4を順次成膜する半導体装置の製造方法において、全ての膜を成膜する工程若しくは非晶質半導体薄膜3a及び第2の絶縁膜4を成膜する工程を大気中に晒すことなく連続して行い、その後、レーザ光を絶縁性基板1の他方の主面1b側から照射して非晶質半導体薄膜3aを結晶化させる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の一方の主面に、第1の絶縁膜、非晶質半導体薄膜及び第2の絶縁膜を順次成膜する半導体装置の製造方法において、上記全ての膜を成膜する工程若しくは上記非晶質半導体薄膜及び上記第2の絶縁膜を成膜する工程を大気中に晒すことなく連続して行い、レーザ光を上記絶縁性基板の他方の主面側から照射して上記非晶質半導体薄膜を結晶化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 627 G