特許

J-GLOBAL ID：200903097073607930

半導体装置

発明者： 花岡 大介
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-337448
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164922
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 III-V族窒化物系化合物半導体装置において、正電極に対するコンタクト層の特性を改善し、良好な特性を持つ半導体装置を得る。【解決手段】 本発明の半導体装置は、正電極に接するp型コンタクト層として、Mg不純物濃度および分布、層厚を調整したIII-V族窒化物系化合物半導体層を単層或いは複数層用いて構成することにより、良好な特性を持つ半導体装置を得て、上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物系化合物半導体を用いて作製された、p型層を有する半導体装置において、正電極に接するp型コンタクト層を有し、前記p型コンタクト層の正電極に接する最表面部分のアクセプタ不純物濃度が3×1019〜5×1021[/cm3]であり、不純物添加による結晶格子歪みを低減するための手段を合わせ持つことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 A ,  H01S 3/18 673

Fターム (22件)：

5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA92 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA71 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-317844   出願人：日亜化学工業株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-180165   出願人：豊田合成株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-252896   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227835   出願人：松下電器産業株式会社