特許
J-GLOBAL ID：200903097078905858
位相シフトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084239
公開番号（公開出願番号）：特開平7-295201
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】位相シフトマスクのマスク面内での透過率の均一性を向上させる。【構成】エッチングストッパ膜2の上の遮光膜3をパターニングして遮光膜パターンを形成した後、位相シフタ膜形成領域のエッチングストッパ膜を選択的に除去して開口部6を形成し、次に、全面に設けた透明膜7をパターニングして開口部6上に位相シフタ膜7aを形成し、しかる後、露出しているエッチングストッパ膜2をすべてエッチング除去することにより、光透過領域の透過率の均一性を向上させる。
請求項（抜粋）：
透明基板上にエッチングストッパ膜および遮光膜を順次成膜して形成する工程と、前記遮光膜を選択的にエッチングして遮光マスクパターンを形成する工程と、前記遮光マスクパターンの光透過領域に露出された前記エッチングストッパ膜を選択的にエッチングして前記透明基板の表面を露出させた位相シフト膜形成用の第1の開口部を形成する工程と、前記第1の開口部を含む表面に透明膜を形成してパターニングし前記第1の開口部の前記透明基板上に直接積層する位相シフタ膜を形成する工程と、前記第1の開口部以外の光透過領域に露出する前記エッチングストッパ膜をエッチングして前記透明基板の表面を露出させた第2の開口部を形成する工程とを含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
