特許
J-GLOBAL ID：200903097079414408
ドライエッチング方法およびドライエッチング処理装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-267699
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094491
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】SiまたはGaAsをSiN、SiO2、SiCまたはAlに対して選択的にエッチングでき、かつ環境破壊の要因とならないガス状エッチング媒体を用いたドライエッチング処理装置を提供することを目的としている。【構成】水素ラジカルによって、SiまたはGaAsをSiN、SiO2、SiCまたはAlに対して選択的にエッチングするドライエッチング方法。およびマイクロ波放電によって高密度水素ラジカルを形成し、SiまたはGaAsをエッチングするドライエッチング処理装置。
請求項（抜粋）：
ガス状ドライエッチング媒体として水素ラジカルを使用し、該ガス状エッチング媒体に被エッチング材料をさらすことからなるドライエッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, H01L 21/302 B
