特許
J-GLOBAL ID:200903097079424519

薄膜堆積装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大垣 孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-347328
公開番号(公開出願番号):特開平5-179436
出願日: 1991年12月27日
公開日(公表日): 1993年07月20日
要約:
【要約】【目的】 薄膜堆積装置において防着シールドからのパーティクル発生を極めて抑制し、とりわけ半導体デバイスにおいて成膜プロセスの歩留まりを向上させ、さらに防着シールドの交換を容易にする。【構成】 薄膜堆積装置の真空チャンバー内に設置する防着シールドに、防着シールド加熱手段と、防着シールドの温度を測定する温度センサーを用いる防着シールド温度制御手段を備え、該防着シールドの温度を所定の一定温度に保持する。 理想的には、その一定温度を成膜時の防着シールドの温度以上に設定する。また、防着シールドの温度測定手段、防着シールドの加熱手段を輻射熱を利用して非接触で行なうものにする。
請求項(抜粋):
真空中にて基板上に薄膜を堆積させる薄膜堆積装置において、真空チャンバー内に設置する防着シールドと、該防着シールドを加熱するための加熱手段と、該防着シールドの温度を検出して前記加熱手段により該防着シールドを、これに付着した堆積膜の剥離が生じない温度に実質的に保持するための温度制御手段とを備えることを特徴とする薄膜堆積装置。
IPC (2件):
C23C 14/34 ,  H01L 21/31
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平3-013564
  • 特開平1-152271
  • 特開昭61-030661
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