特許
J-GLOBAL ID：200903097080729854
気相エピタキシャル成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281379
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132232
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 気相エピタキシャル成長装置に関し、分解温度の異なる複数の原料ガスが、その最適温度を保ったまま、互いに混合しない状態で、反応容器に供給されるようにした気相エピタキシャル成長装置の提供を目的とする。【構成】 分解温度が互いに異なる複数種類の原料ガスを、それぞれ異なる温度に加熱、或いは冷却して反応容器9内の基板加熱台7の上に載置された基板5に供給し、該基板5上で上記原料ガスを分解して基板5上に原料ガスの成分を被着する気相エピタキシャル成長装置に於いて、前記反応容器9に接続して複数種類の原料ガスを、反応容器9内に導入する原料ガス供給筒体21を設け、該原料ガス供給筒体21内に、該原料ガスの温度を制御する温度制御装置22と、前記複数種類の原料ガスを各々区別して別個に流す仕切り板とより成り、かつ各々の原料ガスの温度を調節する温度調整壁23A,23B,23C を設けたことで構成する。
請求項（抜粋）：
分解温度が互いに異なる複数種類の原料ガスを、それぞれ異なる温度に加熱、或いは冷却して反応容器(9) 内の基板加熱台(7) 上に載置された基板(5) に供給し、該基板(5) 上で上記原料ガスを分解して基板(5) 上に原料ガスの成分を被着する気相エピタキシャル成長装置に於いて、前記反応容器(9) に接続して複数種類の原料ガスを、反応容器(9) 内に導入する原料ガス供給筒体(21)を設け、該原料ガス供給筒体(21)内に、該原料ガスの温度を制御する温度制御手段(22)と、前記複数種類の原料ガスを各々区別して別個に流す仕切り板とより成り、かつ各々の原料ガスの温度を調節する温度調整壁(23A,23B,23C) を設けたことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/16
, H01L 21/365
