特許

J-GLOBAL ID：200903097086878266

シリコン化合物、絶縁膜形成材料及び半導体装置

発明者： 山口 城 ,  福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  鈴木 克己
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112499
公開番号（公開出願番号）：特開2000-302791
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年10月31日
要約：

【要約】【課題】 多層配線構造を有する半導体装置において低い誘電率を有していて信頼性の高い絶縁膜の形成に有用な化合物を提供すること。【解決手段】 次式(1)により表されるシリコン化合物。【化1】式中、R1、R2、R3及びR4は、水素、アルコキシ基、水酸基又はアダマンチル環含有基を表し、但し、R1、R2、R3及びR4のうちの1〜3員はアダマンチル環含有基である。

請求項（抜粋）：

次式(1)により表されることを特徴とする、分子構造内に立体的な空隙を有するシリコン化合物:【化1】(上式において、R1、R2、R3及びR4は、互いに同一もしくは異なっていてもよく、それぞれ、水素原子、置換もしくは非置換のアルコキシ基、水酸基及びアダマンチル環含有基からなる群から選ばれた一員を表し、但し、置換基R1、R2、R3及びR4のうちの1員〜3員はアダマンチル環含有基でありかつ、R1、R2、R3及びR4のうちの3員がアダマンチル環含有基である場合、残りの一員はアルコキシ基又は水酸基である)。

IPC (2件)：

C07F 7/18 ,  C01B 33/12

FI (2件)：

C07F 7/18 B ,  C01B 33/12 C

Fターム (28件)：

4G072AA28 ,  4G072BB09 ,  4G072CC13 ,  4G072EE07 ,  4G072GG01 ,  4G072HH28 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ13 ,  4G072JJ16 ,  4G072MM01 ,  4G072MM22 ,  4G072NN21 ,  4G072RR05 ,  4G072RR12 ,  4G072UU01 ,  4G072UU30 ,  4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ06 ,  4H049VQ16 ,  4H049VQ20 ,  4H049VQ21 ,  4H049VR10 ,  4H049VR20 ,  4H049VR40 ,  4H049VU24 ,  4H049VU31 ,  4H049VW02