特許

J-GLOBAL ID：200903097086999004

半導体装置

発明者： 長沢 徳 ,  北村 富士夫 ,  五十嵐 一雅
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-325185
公開番号（公開出願番号）：特開平5-131486
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：

【要約】【目的】 耐半田クラツク性に優れ、しかも生産性にも優れた半導体装置を提供する。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。(A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。【化1】(B)フエノール性水酸基を1分子中に少なくとも2個含有する硬化剤。(C)酸化ポリエチレンワツクス。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。【化1】(B)フエノール性水酸基を1分子中に少なくとも2個含有する硬化剤。(C)酸化ポリエチレンワツクス。

IPC (9件)：

B29C 45/02 ,  C08G 59/20 NHQ ,  C08G 59/62 NJS ,  C08L 63/00 NJN ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08L 63/00 ,  C08L 23:30 ,  B29K 63:00