サーモパイルの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀧野秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-220775
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044522
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】シリコンをエッチングする際のp++-Siの溶解を防止し、かつ、製造が容易なサーモパイルの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板にダイアフラム部と、該ダイアフラム部に不純物拡散Siと導電性物質とからなるサーモパイルとを形成するサーモパイルの製造方法において、シリコン基板上にSiO2層を形成後、不純物拡散が不要な部分のSiO2層を除去し、酸素雰囲気中で不純物を拡散して所望のパターンで不純物拡散Si層と、さらに基板表面全体に不純物を含有するSiO2層とを形成し、次いで該不純物を含有するSiO2層上にSi3N4層等を形成したのち、サーモパイルの接点形成部及びダイアフラム穴部形成部分の不純物を含有するSiO2層とSi3N4層等を除去した後、導電性物質層を設けてサーモパイルを形成し、その後シリコンエッチングを行ってダイアフラム部を形成するサーモパイルの製造方法。

請求項（抜粋）：

シリコン基板にダイアフラム部と、該ダイアフラム部に不純物拡散Siと導電性物質とからなるサーモパイルとを形成するサーモパイルの製造方法において、シリコン基板上にSiO2層を形成後、不純物拡散が不要な部分のSiO2層を除去し、酸素雰囲気中で不純物を拡散して所望のパターンで不純物拡散Si層と、さらに基板表面全体に不純物を含有するSiO2層とを形成し、次いで該不純物を含有するSiO2層上にSi3N4層等を形成したのち、サーモパイルの接点形成部及びダイアフラム穴部形成部分の不純物を含有するSiO2層とSi3N4層等を除去した後、導電性物質層を設けてサーモパイルを形成し、その後シリコンエッチングを行ってダイアフラム部を形成することを特徴とするサーモパイルの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 35/34 , G01P 5/10 , H01L 35/32

FI (3件)：

H01L 35/34 , G01P 5/10 A , H01L 35/32 A

前のページに戻る