特許

J-GLOBAL ID：200903097098630715

パワーデバイス用放熱素子

発明者： 増田 次男 ,  上田 武司
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087367
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274301
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】本発明は、熱ストレスの発生を抑制して半導体素子の熱破損の発生を回避することができるパワーデバイス用放熱素子を提供する。【解決手段】本発明によるパワーデバイス用放熱素子は、裏面にパワーデバイス(2)が熱結合されるセラミック基板(3)と、セラミック基板(3)の表面に接合される放熱板(1)を備え、放熱板(1)は、パワーデバイス(2)の熱破壊を防止する熱容量を備える。

請求項（抜粋）：

裏面にパワーデバイスが熱結合されるセラミック基板と、前記セラミック基板の表面に接合される放熱板を備え、前記放熱板は、前記パワーデバイスの熱破壊を防止する熱容量を備えるパワーデバイス用放熱素子。

IPC (3件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/12 ,  H01L 31/042

FI (3件)：

H01L 23/36 Z ,  H01L 23/12 J ,  H01L 31/04 R

Fターム (13件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB05 ,  5F036BB21 ,  5F036BB23 ,  5F036BC06 ,  5F036BC12 ,  5F036BC33 ,  5F036BD01 ,  5F036BD03 ,  5F036BD11 ,  5F051JA20