特許
J-GLOBAL ID：200903097099326734
半導体製造装置の洗浄方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-128027
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314675
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】ハロゲン元素を含むプラズマ等を利用してエッチングや成膜等の処理をする半導体製造装置において、被処理基体を処理することにより反応生成物の一部が、反応容器等の内壁や被処理基体に堆積する。この堆積物を大気にさらすことなく簡便な方法でほぼ完全に除去できる製造装置の洗浄方法と半導体装置の製造方法を提供する。【構成】本発明の半導体製造装置の洗浄方法は、反応容器及びこれに連結された容器に、少なくともハロゲン元素を含む活性種と、H2 Oやアルコール等の水素元素を含む極性を持ったガスとを、同時に或いはこの順に連続して供給することにより、前記堆積物を除去することを特徴とするものである。また半導体装置の製造方法は、前記被処理基体を大気中に取り出す前に、前記と同様の操作を行ない、被処理基体の堆積物を除去するものである。
請求項（抜粋）：
反応容器内においてハロゲン元素を含むプラズマガスまたはハロゲン元素を含む活性化されたガスまたはハロゲン元素を含むガスの化学反応を用いて被処理基体を処理する半導体製造装置において、被処理基体を処理することによって該反応容器及び該反応容器に連結された容器に付着する堆積膜を、該反応容器及び該反応容器に連結された容器に、活性化されたハロゲンガスまたはハロゲン元素を含む活性化されたガスと水素元素を含む極性をもったガスとを同時に或いはこの順に連続して供給することにより、取り除くことを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/205
, H01L 21/31
