特許

J-GLOBAL ID：200903097103990849

半導体装置の製造方法

発明者： 西川 健一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213883
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066203
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】この発明は、段差部におけるアルミニウム配線膜の薄膜化及び段切れの発生を防止する。【構成】シリコン基板25の表面に不純物拡散層26を形成し、拡散層26の上に層間絶縁膜27を堆積させ、絶縁膜27にコンタクトホ-ル27a を設ける。次に、ホ-ル27a の内及び絶縁膜27の上にTiN膜28を堆積させ、TiN膜28の上にLPCVD技術によりボロンド-プトアモルファスシリコン膜を堆積させる。次に、このアモルファスシリコン膜の上にアルミニウム配線膜30を堆積させ、前記アモルファスシリコン膜及び配線膜30は450°C程度の温度で1時間のアニ-ルを行うことにより、前記アモルファスシリコン膜と配線膜30とを置換する。次に、前記アモルファスシリコン膜をケミカルドライエッチングにより除去する。従って、段差部におけるアルミニウム配線膜の薄膜化及び段切れの発生を防止することができる。

請求項（抜粋）：

段差部を有する下地膜の上に不純物を添加したアモルファスシリコン膜を堆積させる工程と、前記アモルファスシリコン膜の上にアルミニウム膜を堆積させる工程と、前記アルミニウム膜及び前記アモルファスシリコン膜を350°C以上の温度で熱処理することにより、前記アモルファスシリコン膜と前記アルミニウム膜とを置換させる工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 P ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-268256
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-183785   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-199838
  
• 特開平2-071515