特許
J-GLOBAL ID：200903097104779211
プラズマ装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-302574
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151333
出願日： 1992年11月12日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 ドライエッチングやCVDの過程でプラズマ装置内に生成する堆積性の反応生成物を効率良く除去し、パーティクル汚染の発生やスループットの低下を防止する。【構成】 有磁場マイクロ波プラズマCVD装置のCVD室の内壁面の一部を、壁材8a上に周期的な凸部8bが形成された防着部8で構成する。この防着部8を予めS(イオウ),窒化イオウ系化合物等の昇華性堆積物層15で被覆しておき、上記CVD室内でCVDを実施する。CVDのプロセス中には、昇華性堆積物層15の上にも反応生成物層16が堆積する。この反応生成物層16は、防着部8の形状効果により極めて脱落しにくい。CVD終了後、壁材8aに埋設されたヒータ18に通電して防着部8を加熱すると、昇華性堆積物層15の昇華または分解に伴って反応生成物層16を容易に剥離させることができる。
請求項（抜粋）：
処理チャンバ内で生成させたプラズマを用い、該処理チャンバ内に保持された基板に対して所定のプラズマ処理を行うプラズマ装置において、前記処理チャンバの内壁面の少なくとも一部に表面凹凸部が設けられ、かつ少なくとも該表面凹凸部を被覆して昇華性堆積物層が設けられてなることを特徴とするプラズマ装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
