特許
J-GLOBAL ID：200903097105031229
半導体ウエハ及びその結晶方位検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202559
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053100
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】半導体ウエハのオリフラによる無効面積を無くし、100%有効活用しようとするものである。【構成】ラウンド面取り部で構成された周辺端面部14からなる全体が円盤状のウエハ11の、前記ラウンド面取り部の一部に、そのウエハ11の結晶方位を示す微小な平面状マーク13を形成し、そのウエハ11の平面上の延長線上で、そのウエハ11の中心を通る法線上に、フォトカプラー21からなる光学的な検出装置20を配置し、そのウエハ11の周辺端面部14に光を当てて、前記マーク13から反射した光を検出して、そのウエハ11の結晶方位を検出している。【効果】ウエハの表面積を100%有効に利用しながら、結晶方位のマークを付けるため、理論収量の向上と歩留りの向上など、数々の効果がある。
請求項（抜粋）：
ラウンド面取り部で構成された周辺端面部からなる全体が円盤状の半導体ウエハの、前記ラウンド面取り部の一部に、その半導体ウエハの結晶方位を示す微小な平面状マークを形成したことを特徴とする半導体ウエハ。
IPC (5件)：
H01L 21/02
, G01B 11/24
, G01B 17/00
, H01L 21/66
, H01L 21/68
