特許
J-GLOBAL ID：200903097106188725
シリコンの一方向凝固装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091876
公開番号（公開出願番号）：特開2001-278613
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：
【要約】【課題】本発明は、インゴットの生産性を高い状態に維持し、且つインゴット全体で従来より不純物元素の濃度が均一にできるシリコンの一方向凝固装置を提供することを目的としている。【解決手段】溶融状態のシリコンを凝固させる鋳型と、シリコンを加熱する加熱手段と、該鋳型の底下面に配置された冷却室と、前記鋳型内のシリコンを下方から冷却する冷却手段と、上記鋳型の側壁に多段に設けた凝固界面のセンサと、該センサでの測定値から凝固速度を求めて目標凝固速度値と比較して、その出力を上記加熱手段及び冷却手段に与える凝固速度制御手段とを備えた一方向凝固装置において、前記冷却室に配置する冷却手段を、チラプレートと、その周囲に流す冷却ガスとで形成すると共に、鋳型の下方に配置する電熱ヒータをチラプレートの上方に配置した。
請求項（抜粋）：
溶融状態のシリコンを凝固させる鋳型と、該鋳型の周囲に配置され、シリコンを加熱する加熱手段と、該鋳型の底下面に配置された冷却室と、該冷却室の内部雰囲気温度を下げ、前記鋳型内のシリコンを下方から冷却する冷却手段と、上記鋳型の側壁に多段に設けた凝固界面のセンサと、該センサでの測定値から凝固速度を求め、その凝固速度と目標凝固速度値と比較して、その出力を上記加熱手段及び冷却手段に与える凝固速度制御手段とを備えたシリコンの一方向凝固装置において、前記冷却室に配置する冷却手段を、水冷ジャケットからなるチラプレートと、該チラプレートの周囲に流す冷却ガスとで形成すると共に、前記鋳型の下方に配置する電熱ヒータを前記チラプレートの上方に配置したことを特徴とするシリコンの一方向凝固装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B 33/037
, H01L 31/04 X
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072GG04
, 4G072GG05
, 4G072HH01
, 4G072MM08
, 4G072NN01
, 4G072NN02
, 4G072UU02
, 5F051AA02
, 5F051CB02
