固体撮像素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-285757
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122721
出願日： 1993年10月21日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】シリコン基板-遮光膜間の間隙を狭くしてスミアを抑制する。【構成】 n型シリコン基板101上の第1のp型ウェル層102の表面領域内に光電変換部となるn型領域105と電荷転送領域となるn型領域104を設ける。基板上には、酸化膜106、窒化膜107、酸化膜108からなるゲート絶縁膜を介して第1電荷転送電極109を設ける。その上に層間絶縁膜112を介して第2電荷転送電極113を、更にその上に層間絶縁膜115を介して遮光膜116を形成する。光電変換部に臨む部分では、シリコン基板-遮光膜116間にはゲート絶縁膜が介在しているのみであるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面領域内に複数個の光電変換部からなる光電変換部列と、該光電変換部列の信号電荷を転送する電荷転送部の電荷転送領域とが設けられ、半導体基板上に前記光電変換部の電荷転送電極と該電荷転送電極および前記光電変換部上の一部を覆う遮光膜とが形成されている固体撮像素子において、光電変換部上を覆う部分の前記遮光膜と半導体基板との間にはゲート絶縁膜と同等あるいはそれ以下の膜厚の絶縁膜が介在しているのみであることを特徴とする固体撮像素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-190272
特開平4-137763
特開昭64-008664

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