特許

J-GLOBAL ID：200903097108972539

酸化物半導体発光素子

発明者： 齊藤 肇
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-319666
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153211
出願日： 2002年11月01日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】エピタキシャル層の欠陥を低減し、高い信頼性と発光効率を有する酸化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】基板上に少なくとも、ZnO系半導体で構成されたn型クラッド層、活性層、p型クラッド層、p型コンタクト層が順次積層されて成る酸化物半導体発光素子において、前記基板と前記n型クラッド層の間にInをドープしたn型ZnO系半導体層を形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも、ZnO系半導体で構成されたn型クラッド層、活性層、p型クラッド層、p型コンタクト層が順次積層されて成る酸化物半導体発光素子において、前記基板と前記n型クラッド層の間にInをドープしたn型ZnO系半導体層が形成されていることを特徴とする酸化物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L33/00 ,  H01L21/363 ,  H01S5/30

FI (3件)：

H01L33/00 A ,  H01L21/363 ,  H01S5/30

Fターム (26件)：

5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA83 ,  5F041DA02 ,  5F073AA74 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH08 ,  5F103HH10 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103LL01