特許
J-GLOBAL ID:200903097109355916
プリント配線基板の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-199782
公開番号(公開出願番号):特開平6-053631
出願日: 1992年07月27日
公開日(公表日): 1994年02月25日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 レジストパターンの高精細化を図りつつ、従来のスクリーン印刷法に匹敵する大量生産性が得られるプリント配線基板製造方法を提供する。【構成】 絶縁基板1上にラミネートされた銅箔の全面に弱アルカリ(pH=9〜13未満)可溶の第1のレジスト層を形成する。第1のレジスト層上に所定のパターンで強アルカリ(pH≧13)可溶の第2のパターンレジスト4を形成した後、第2のパターンレジスト4をマスクとして弱アルカリ溶液により第1のレジスト層を現像して第1のパターンレジスト3を形成する。これら第1及び第2のパターンレジスト3,4をマスクとして銅箔をエッチングし、強アルカリ溶液にて第1及び第2のパターンレジスト3,4を除去して所定のパターンを有する配線パターンを形成する。
請求項(抜粋):
絶縁性を有する基板上に銅箔をラミネートし、この銅箔の全面にpHが9以上、13未満の弱アルカリ溶液に可溶な第1のレジスト層を形成し、次いで、この第1のレジスト層上に所定のパターンでpHが13以上の強アルカリ溶液に可溶な第2のパターンレジストを形成した後、これら第1のレジスト層及び第2のパターンレジストが形成された上記基板を弱アルカリ溶液に接触せしめ、上記第2のパターンレジストをマスクとして第1のレジスト層を現像して第1のパターンレジストを形成し、続いて、これら第1のパターンレジスト及び第2のパターンレジストをマスクとして上記銅箔をエッチングした後、強アルカリ溶液により上記第2のパターンレジスト及び第1のパターンレジストを除去し、所定のパターンを有する配線パターンを形成することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開昭59-188991
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特公昭49-026784
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