特許

J-GLOBAL ID：200903097111426570

酸化物強誘電体薄膜の製造方法、酸化物強誘電体薄膜及び酸化物強誘電体薄膜素子

発明者： 木島 健
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272587
公開番号（公開出願番号）：特開2000-169297
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2000年06月20日
要約：

【要約】【課題】 任意の配向方位および任意の配向方位を有する強誘電結晶量を制御することにより、任意の強誘電特性を引き出すことを目的とする。【解決手段】 電極が形成された基板上にBi、Ti及びOからなる酸化物強誘電体薄膜をMOCVD法により製造するに際して、酸化物強誘電体薄膜を形成しうる原料ガスの総ガス供給量に占める酸素ガスの供給量を、所定の配向性及び/又は抗電界を有する酸化物強誘電体薄膜を形成するために必要な値に制御するとともに、前記酸化物強誘電体薄膜を構成する酸素以外の構成元素の組成比を前記酸化物強誘電体薄膜が所定の残留分極及び/又は比誘電率を得るために必要な値になるように前記酸化物強誘電体薄膜を構成する酸素以外の構成元素を含む原料ガスの少なくとも1つの供給量を制御して、基板上に原料ガスを供給することからなる酸化物強誘電体薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

電極が形成された基板上にBi、Ti及びOからなる酸化物強誘電体薄膜をMOCVD法により製造するに際して、酸化物強誘電体薄膜を形成しうる原料ガスの総ガス供給量に占める酸素ガスの供給量を、所定の配向性及び/又は抗電界を有する酸化物強誘電体薄膜を形成するために必要な値に制御するとともに、前記酸化物強誘電体薄膜を構成する酸素以外の構成元素の組成比を前記酸化物強誘電体薄膜が所定の残留分極及び/又は比誘電率を得るために必要な値になるように前記酸化物強誘電体薄膜を構成する酸素以外の構成元素を含む原料ガスの少なくとも1つの供給量を制御して、基板上に原料ガスを供給することからなる酸化物強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (16件)：

C30B 29/32 ,  C23C 16/44 ,  G02F 1/03 501 ,  H01B 3/00 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 358 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 49/02 ,  C23C 16/40 ,  H01L 37/02

FI (15件)：

C30B 29/32 A ,  C23C 16/44 D ,  G02F 1/03 501 ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/00 B ,  H01B 3/00 D ,  H01G 4/12 358 ,  H01L 49/02 ,  C23C 16/40 ,  H01L 37/02 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 Z