特許
J-GLOBAL ID：200903097114156140
酸化シリコン膜形成方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-223128
公開番号（公開出願番号）：特開平7-076777
出願日： 1993年09月08日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 成膜対象物を加熱せず、Siの自然酸化により得られるSiO2膜とほぼ同等な膜質のSiO2膜を形成。【構成】 プラズマ生成のための高周波電力供給手段7及び磁界付与手段8が付設されたプラズマ生成室1に、成膜のための電力印加手段14,15,16が接続された成膜対象物支持手段10及びプラズマを手段10の方へ収束させる磁界付与手段9が設けられるとともに排気装置11が付設された成膜室が連設された成膜装置を用い、手段10に成膜対象物Sを支持させ、装置11により室1及び室2を所定真空度とし、室1に少くとも酸素元素を含むプラズマ生成用ガスを導入して手段7による高周波電力印加と手段8により形成される磁界のもとにプラズマ化するとともに、室2に少なくともケイ素元素を含む成膜用ガスを導入し、室1から供給されるプラズマを室2における手段9により形成される磁界のもとに対象物Sに収束させつつ対象物S上に酸化シリコン膜を形成。
請求項（抜粋）：
プラズマ生成のための高周波電力供給手段及び磁界付与手段が付設されたプラズマ生成室に、成膜のための電力印加手段が接続された成膜対象物支持手段及びプラズマを該支持手段の方へ収束させる磁界付与手段が設けられるとともに排気装置が付設された成膜室が連設された成膜装置を用い、前記成膜室の支持手段に成膜対象物を支持させ、前記排気装置により前記プラズマ生成室及び成膜室を所定真空度とし、前記プラズマ生成室に少なくとも酸素元素を含むプラズマ生成用ガスを導入して前記高周波電力供給手段による高周波電力印加と前記磁界付与手段により形成される磁界のもとにプラズマ化させるとともに、前記成膜室に少なくともケイ素元素を含む成膜用ガスを導入し、前記プラズマ生成室から供給されるプラズマを前記成膜室における磁界付与手段により形成される磁界のもとに前記成膜対象物へ収束させつつ該成膜対象物上に酸化シリコン膜を形成することを特徴とする酸化シリコン膜の形成方法。
IPC (5件)：
C23C 16/40
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/316
