特許
J-GLOBAL ID：200903097114212678
半導体単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-330104
公開番号（公開出願番号）：特開平11-157981
出願日： 1997年12月01日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：
【要約】【課題】高品質の半導体単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】第1の円筒状加熱ヒータ26により、ルツボ20内の原料融液18を融点温度Tmpに相当する温度分布T1で加熱し、第2の円筒状加熱ヒータ28により、固液界面Sの近傍領域を、温度分布T1より高い山形状の温度分布T2にて局所的に加熱し、下方に行くに従って次第に低温となるように設定する。結晶成長の全過程にわたって、これらの温度分布に保った状態で、固液界面Sの近傍領域を温度分布T2にて局所的に加熱する。これにより、固液界面Sが原料融液18側に凸状となり、高品質の半導体単結晶が成長される。
請求項（抜粋）：
垂直ボート法を用いた半導体単結晶の製造方法において、原料融液から半導体単結晶を結晶成長させる過程中で、前記原料融液と前記半導体単結晶との固液界面及び固液界面を含む近傍領域を、融点温度より高温の温度分布で局所的に加熱することを特徴とする半導体単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 11/00
, C30B 29/40 501
, C30B 29/48
, H01L 21/208
C30B 11/00 Z
, C30B 29/40 501 C
, C30B 29/48
, H01L 21/208 T
