特許
J-GLOBAL ID：200903097120081771
アクティブマトリクス基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157051
公開番号（公開出願番号）：特開平11-002835
出願日： 1997年06月13日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 フォトパターニングプロセスの回数を削減して良品率を高めるとともに、画素電極とドレイン電極あるいは画素電極と端子部の電極との良好なコンタクトを得ることを目的とする。【解決手段】 ソース信号線、ドレイン電極10および各端子部を、ITO19、第1のメタルであるタンタル20および第2のメタルである窒化タンタル21の3層の同一パターンとし、1回のフォトプロセスでパターニング形成を可能とし、さらに、窒化タンタル21によってタンタル20の酸化を防止し、画素電極5とドレイン電極10あるいは画素電極5と各配線部の電極との良好なコンタクトを得るようにしている。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上にスイッチング素子がマトリクス状に形成され、該スイッチング素子を制御するゲート信号線が形成され、前記スイッチング素子にデータ信号を供給するソース信号線がゲート信号線と直交する形で形成され、前記スイッチング素子、ゲート信号線およびソース信号線の上部に層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に形成された画素電極が層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して前記スイッチング素子のドレイン電極またはその延長と接続されたアクティブマトリクス基板において、前記ソース信号線および前記ドレイン電極は、ITO(Indium TinOxide)、第1のメタルおよび第2のメタルの少なくとも3層で構成されることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
引用特許：
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