特許
J-GLOBAL ID：200903097122609943
伝導度変調型MOSFETの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235208
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075130
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】一部がチャネル領域となる第一導電型領域とその領域形成の際に半導体基体外周部に形成される第一導電型の領域とその間にある第二導電型の高比抵抗層とからなる寄生トランジスタの動作によるアバランシェ耐量の低下を防ぐ。【構成】第一導電型領域形成のための不純物導入の際に半導体基体表面にレジスト膜などでマスクを設け、外周部に不純物が入るのを阻止して第一導電型の領域ができないようにする。これにより寄生トランジスタができなくなり、アバランシェ耐量が強くなる。
請求項（抜粋）：
第一導電型のドレイン層の一側に第二導電型の高比抵抗層を有する半導体基体の高比抵抗層の表面から不純物を導入して一部がチャネル領域となる第一導電型の領域およびその領域の表面層内に第二導電型のソース領域をそれぞれ選択的に形成する工程を含む伝導度変調型MOSFETの製造方法において、第一導電型の領域形成のための不純物導入の際に半導体基体外周部の表面上に不純物導入阻止のためのマスクを設けることを特徴とする伝導度変調型MOSFETの製造方法。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 K
, H01L 29/78 321 J
